第830章晶片進展2
設計負責人臉上的自豪感褪去，變得凝重起來。
他看向了工藝整合負責人和設計-工藝產品線總裁孟良凡。
馮庭波適時接話：
“塵風總問到了核心。
設計隻是藍圖，製造纔是將藍圖變為現實的關鍵。
下麵，就請工藝團隊和孟總，為我們揭示‘獵人’晶片在14nmFinFET平台上的真實情況。”
工藝整合負責人深吸一口氣，站了起來。
他操作投影，畫麵切換到了一張令人眼花繚亂的多維度圖表：14nmFinFET工藝平台良率追蹤圖。
上麵佈滿了各種顏色的曲線，代表著不同批次的晶圓、不同的測試結構、在不同的關鍵工藝節點上的良率表現。
“姚總的問題非常直接，我也直接回答。”他的聲音努力保持平靜，但能聽出緊張。
“‘獵人’晶片，是基於我們華興EDA團隊與海思共同開發的新一代PDK進行設計和模擬的。
其模擬模型，大量參考了孟教授團隊帶來的理論模型和中芯國際產線的早期資料。”
他指向圖表的核心區域，一條原本劇烈波動但近期逐漸趨於平穩的曲線：
“這就是‘獵人’晶片核心計算模組的MPW試產良率趨勢。
經過五輪艱苦的工藝疊代和設計優化，其綜合良率，已從最初的令人絕望的31%，提升並穩定在68.5%。
最近三個批次的波動範圍已經控製在±2%以內。”
“68.5%？”姚塵風身體前傾，手指停止了敲擊，語氣中混合著驚訝和欣喜。
“如果我沒記錯，上次季度彙報，這個數字還在45%徘徊。
這個爬坡速度，超出了我們內部的預期。
怎麼做到的？”
“是的，姚總，提升速度確實超預期。”負責人語氣肯定，也有振奮。
“突破主要來自三個方麵：
首先是孟總團隊帶來的FinFET三維鰭片形狀和應力工程的精確調控模型，優化了載流子遷移率，顯著降低了漏電流，這是提升良率和能效的基礎。”
“其次，是在後段互連環節，我們和中芯國際的夥伴共同攻關，採用了新的銅互連阻擋層材料和更低介電常數的低k介質，有效降低了RC延遲和整體晶片功耗。”
“而第三點，至關重要，”他提高了音量，目光轉向陳默。
“陳總領導的EDA團隊，提供了更新一代、精度更高的PDK和模擬模型。
特別是其中的化學機械拋光（CMP）建模和麪向製造的設計（DFM）規則檢查，讓我們在設計階段就預先規避了超過30%的潛在製造熱點（Hotspot）和天線效應問題。
這大大減少了流片後的反覆次數，縮短了良率爬升週期。
可以說，是設計和工具的進步，反向拉動了製造工藝的成熟。”
孟良凡這時推了推眼鏡，嚴謹底補充道：
“庭波總、陳總、姚總，68.5%的良率，對於一條完全依靠我們自身技術力量摸索、且受到諸多外部限製的14nmFinFET工藝線而言，是一個裏程碑，它證明瞭技術路線的可行性。
這標誌著我們已初步掌握了中端效能晶片的自主可控設計製造能力。”
他話鋒一轉，依舊保持著客觀：
“但我們必須清醒，這與台積電7nm成熟製程超過95%的良率相比，差距巨大。
這意味著我們的成本劣勢短期內難以消除，可能高出30%-50%。
同時，受限於當前工藝水平，晶片的峰值效能和高頻下的功耗，與國際最先進水平存在一代左右的差距。”
馮庭波接過話頭，目光灼灼地看向姚塵風，語氣沉穩而決斷：
“塵風總，差距存在，但意義更大。
這意味著我們的手中有了一張牌。
我正式提議，啟動‘獵人計劃’。
下一代榮耀Play係列、榮耀X係列，以及部分平板和物聯網產品的核心晶片，必須有一部分型號切換到這個自研平台。
初期可能會犧牲一部分利潤和極致的效能體驗，但我們必須邁出這一步，在實踐中打磨流程，積累資料，建立我們對自主晶片的信心體係和供應鏈。”
姚塵風沒有立刻回答，他再次低頭，手指在平板電腦上飛快地運算著。
他模擬著各種成本、定價、市場和風險場景。
會議室裡鴉雀無聲，隻有他指尖敲擊螢幕的細微聲響。
幾分鐘後，他抬起頭，最終拍板：
“同意！風險可控，戰略價值遠超短期財務表現。
海思儘快交付最終GDSII，終端研發、測試和供應鏈這邊我會親自盯，立即啟動‘獵人計劃’。
但我有三個條件：
第一，海思和製造端必須立軍令狀，保證晶片的絕對穩定性和可靠性，中端機使用者規模大，出大規模質量問題就是品牌災難。
第二，財務部牽頭，覈算成本，初期虧損由集團戰略專項基金覆蓋，但必須給出明確的良率提升和成本下降路徑圖，我要在一年內看到成本逼近可接受區間。
第三，”
他頓了頓，語氣加重，目光掃過馮庭波和陳默。
“這僅僅是‘備胎’和練兵場，我們最終的目標是旗艦機。
高階的N 1工藝進度，絕不能因為14nmFinFET的進展而有絲毫鬆懈。
我要的是能用在下一代Mate和P係列上，能正麵抗衡高通和蘋果的晶片。
N 1的進展，現在到底是什麼情況？”
姚塵風的追問，讓剛剛稍有緩和的氣氛再次激起千層浪。
所有人的心都提了起來，目光聚焦在那位工藝整合負責人身上。
負責人的表情瞬間變得更加嚴峻，他甚至下意識地深吸了一口氣，才操作電腦。
投影畫麵切換到一個更加複雜、資料點更加稀疏且波動劇烈的圖表：N 1工藝良率追蹤圖。
那如同癲癇患者心跳般的曲線，讓所有懂行的人心裏都是一沉。
“姚總、馮總，N 1工藝，我們麵臨的是一堵技術界的‘嘆息之壁’。”他的聲音乾澀。
“它的目標是實現比14nm更高的電晶體密度和能效比，這要求我們在電晶體架構、新材料、新整合技術上都取得突破。
目前，我們在三個核心領域遇到了巨大的、近乎原理性的困難。”
他逐一指出圖表上的幾個致命低穀：
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