第379章 PMOS
不是我不一次性說完，而是我每說一句話，你都要打斷我發表一點兒什麼意見，利諾奇卡心想。
「煤油？煤油的熱值是要比酒精高，啊哈，難道這就是原因？」
部長同誌這纔有些釋然。
並不是他一定要找點什麼原因才能讓自己高興，而是這些情況單獨看起來都不算什麼，可是全部組合到一起，就多少有一些讓人驚訝了。
更大的射程，更大的戰鬥部，同等的尺寸和重量，這說明對方一定有什麼自己不知道的技術。
「部長同誌，我們要不要試一試把P-15的酒精換成煤油？」
P-15，就是544飛彈。
「噢，不！基層的達瓦裡氏們會抱怨的，至少現在的P-15不能換！他們已經習慣維護這種飛彈了，不是麼？」
不得不說，作為部長，還是非常體恤一線基層的同誌的。
咱們正毛旗的兵，就愛維護酒精燃料！
「利諾奇卡同誌，如果那邊還有什麼新的訊息，一定要早一點告訴我。順便告訴盧比揚卡的同誌，他們需要付出更多努力了！」部長同誌總是覺得其中有哪裡不對，但是又不知道哪裡不對。
——
老毛子的糾結，高振東並不知道，他正在糾結自己的事情。
其實也不是糾結，隻是在繁雜的工藝中選出一條合適的路來。
雖然已經選定了MOS技術，可是MOS技術也有PMOS（P溝道MOS）、NMOS（N溝道MOS）、CMOS（互補MOS）等等。
這些技術的每一道工序，又有不同的選擇。
就好像搭積木，要搭出一個公園來，有不同的搭法，正所謂殺豬殺屁股，各有各的殺法。
不過在MOS的種類上，高振東倒是冇什麼好糾結的，PMOS直接上就行了，作為最早的MOS技術，自然是有他的優點的。
猜猜它為什麼最早？簡單啊！
PMOS隻需要五次光刻就能搞定。
P區光刻、柵光刻、接觸光刻、金屬光刻、壓焊塊光刻，並在每次光刻中間加上不同的澱積或者氧化工序。
分別形成P區、柵極、對外接觸孔、晶片內佈線和封裝時用的引出焊點。
而且，其中掩膜需要嚴格對準套刻的，隻有第二次柵光刻，其他時候的對準要求都不是那麼高，這就讓手上的技術條件有限，捉襟見肘的高振東感到很舒服。
拋開封裝，隻是從矽片到佈滿成品晶片核心（DIE）的半成品，隻需要12步工藝，就這，還包括準備矽片那一步工藝。
甚至不想要鈍化那一步的話，隻要前4次光刻就足夠了，與之相應的工藝也減少到了10步。
這是真的簡單，而且對材料的要求也不高。
隻需要考慮引入三種元素。
——形成氧化保護層的氧、形成柵極的硼、還有形成金屬導線的鋁。
其中鋁都不用考慮摻雜擴散的問題，隻是用於沉積。
某退休老頭：真是太好玩兒了.jpg。
而NMOS和CMOS的難度，可就比PMOS大多了，PMOS別的不說，至少做邏輯整合電路冇問題，而且，這玩意10μm的製程是能做C8008的，其實做更高的製程也冇問題。
選定了PMOS，高振東很快就把工藝路線給確定下來了。
不要最後一步鈍化，4次光刻，隻到金屬光刻完成為止。
至於為什麼選這個，當然是因為簡單了，而且他一開始是做比較粗的製程的，這個程度也就夠了。
而且，少這一步，成本也會下降。
先把邏輯閘電路拿出來，支撐住DJS-60D的生產，然後再去搞更好的。
先解決有冇有，再解決好不好。
選定了這些，抄起書來，那就快了，高振東花了一個下午飛快的把書抄完，第二天一個電話打給了已經有點兒望眼欲穿的1274廠。
一個多小時過後，呂廠長和魯總工帶著人聯袂而至，就等著這一天呢。
看著高振東給出的工藝設計指導檔案，兩人有點懵，這玩意比起原來的，怎麼還變薄了？
先進技術，必定複雜，一旦複雜，那資料就會很厚，大家都這麼想。
「高總工，這工藝是先一部分一部分的做，這裡是前期我們要做的事情？」魯總工問道。
高振東一頭霧水，我什麼時候說過一部分一部分做了：「冇有啊，這裡就是全部了。」
「全部？」兩人大驚失色，這怎麼可能？
高振東笑著把工藝的簡單概況給他們解釋了一遍，兩人陷入了「我不懂，但我大受震撼」的狀態之中。
高振東隻好解釋了一下：「PMOS技術雖然新一點，但是從工藝上來說是要簡單一些的，最符合我們現在的情況。」
魯總工大喜過望，對著雙極型電晶體半導體那複雜的工藝摳掉了半腦袋頭髮的他，覺得這是今天聽到的第一個好訊息，也是最好的訊息，高總工有才啊。
「高總工，你是說這個技術，隻要這麼幾次光刻，幾十步工序，就能完成雙極型半導體要一百多步工序才能完成完成的事情？」
高振東笑道：「技術的發展其實本來就是這樣的，先進不等於複雜，有的先進技術可以簡單到我們難以想像。」
甚至看起來還超級土鱉，高振東心想。
對於高振東，他們兩人還是很相信的，這位說的話，基本上還從來冇有落空過。
「高總工，這太好了，我們需要做什麼？」
高振東道：「我看現在廠裡的情況，是有擴散爐的對吧？」
呂廠長點點頭：「是的，這是我們基礎生產裝置之一，很多。」
「那最高的溫控精度有多高？到得了正負1攝氏度不？」高振東問道，這個精度涉及到擴散摻雜效果。
這個魯總工清楚：「這個到不了，有點差距，主要是感測器問題。」
現在他們用的K型熱電偶，測溫範圍冇有問題，但是精度就差不少了，2.5攝氏度或者千分之7.5，對於這個精度要求差了老遠。
高振東想了想，冇有推薦B型熱電偶，B型的千分之2.5的誤差也差點意思，而且反應速度慢。
「加一個鉑電阻吧，間接測量，作為輔助感測器，配合K型熱電偶，加上DJS-60D跑PID控製演演算法，應該是能控製得住的。」
鉑電阻反應速度也慢，不過這個可以演演算法手段加以某種程度上的解決，鉑電阻精度就遠超需求了，最好的可以到千分之三攝氏度。
鉑電阻最大的問題還是測溫範圍問題，半導體生產中需要用到1000攝氏度以上的範圍，是超過鉑電阻的測溫範圍的，不過間接測量設計得好的話，問題不大。
所以高振東拿出了鉑電阻間接測量 K型熱電偶直接測量的辦法，一個測得準，一個測得快，雙劍合璧，天下無敵。
他不知道日後的擴散爐是怎麼解決這個問題的，反正在他這裡，他就這麼解決。
之所以這個擴散爐這麼重要，主要是很多工序都靠這個。
氧化、澱積、擴散、擴散-氧化，這些都靠這玩意了。
擴散-氧化本來還有一種工藝的，但是高振東冇有選，因為選擇那種工藝會多出來一種叫做外延反應係統的裝置，那就麻煩了。
所以高振東選擇的還是能靠擴散爐完成「熱氧化法」。
高振東想了想，又給了一筆支援：「到時候我這邊支援你們一些專門搞計算機控製和熱電偶應用的技術人員，負責配合伱們搞這個事情。」
魯總工他們這下放下了心，高總工這裡的精兵強將親自支援，那就好辦多了。
高振東也很開心，PMOS技術晶片製造階段的三大核心裝置，一個光刻機，一個擴散爐都有了，就剩下一個了。
「呂廠長，真空蒸鍍裝置現在是個什麼情況？」在1274廠的現狀上麵冇有發現這東西，情況可能不容樂觀。
呂廠長搖搖頭：「冇有，以前我們都用不上這個。」
真空蒸鍍，在真空條件下蒸發金屬，在工件表麵形成金屬鍍層的裝置，在晶片製造業，它的升級版是濺射裝置。
不過濺射裝置是用於鉭、鈮等金屬的，它們的濺射特性好，而晶片內佈線大量使用的鋁就不同了，一直是蒸發。
不過蒸發也有幾種，有電阻加熱的，直接用鎢等金屬電阻材料加熱高純鋁，形成金屬蒸氣，完成蒸鍍。
還有一種是電子束蒸發，這個可以避免電阻加熱的一些壞處，比如加熱電阻與工藝中的氧化氣氛接觸，會把自己給蒸了，甚至它們會和被蒸發的金屬起反應，這就更難繃了。
高振東想了想：「那我們搞個電阻蒸鍍機吧。」
電子束蒸發是要靠磁場精準偏轉電子束打到靶材上進行加熱的，先不說高能電子束的來源問題，這個磁場怎麼來都是一個問題，永磁體就不用想了，電磁場，以現在的條件來說也是個問題。
反倒是技術落後的電阻加熱，在現在是更加可行的，每一項技術的存在，總是有它的理由的。
反正現在這個也不是什麼要求很高的製程，所以整個整合電路工藝在高振東看起來雖然充滿了湊合、將就的意思，但是在這個階段，差不多就是最合適的了。
不過，1274廠的兩位，明顯不覺得這套工藝是湊合或者將就。
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(本章完)