第613章
四大巨頭的價格戰
四月十六日，通城，徐申學在智雲微電子有限公司的總部裡，舉辦了一場半導體會議。
會議主要針對現有七奈米以及五奈米工藝的產能擴充，未來三奈米工藝、二奈米工藝的技術攻關進行了討論。
邏輯晶片是徐申學非常關注的一個領域，但是也不僅僅隻是關注這個領域。
在儲存晶片領域裡徐申學也非常關注……因為儲存晶片市場目前看似平靜，但是新一輪的大規模價格戰正在醞釀當中。
上一輪儲存晶片市場的價格戰，是兩年前，當時的智雲儲存試圖靠著先大規模量產的10c工藝玩價格戰，四星半導體緊跟身後，試圖聯手打壓海力士以及鎂光。
但是出手過於倉促，資金準備也不是很妥當，最重要的是當時的10c工藝節點產能不夠，10b工藝的競爭力也比較一般，最終導致效果不是很好。
搞了一四敗俱傷的價格戰，除了損失各自的利潤外，冇起到什麼實際作用。
而現在，智雲儲存這邊，打算再來一次！
這一次，他們將會準備的更加充分！
而這一次的半導體會議裡，在儲存晶片領域的討論，其實也是為了下一輪的儲存晶片市場的技術戰以及價格戰而準備。
快閃記憶體領域，根據會議討論，將會重點圍繞一百層到一百五十層之間的成熟3d
nand快閃記憶體晶片進行大規模的產能擴充，同時建設擴充兩百層以上的3d
nand快閃記憶體晶片的大規模量產。
雖然兩百層以上的快閃記憶體晶片已經有了，但是受限於成本以及產能問題，目前其實並不是主流。
主流儲存晶片的層數，中高階產品是在一百層到一百五十層節點，而這箇中高階市場，也是四大儲存晶片巨頭的核心營收以及利潤來源……是支撐其研發新一代技術，建設下一代新工藝產能的戰略支撐。
隻要能夠在這個市場區間裡擠死對手，就等於斷了對手的糧草，對方將會在新工藝的研發，新工藝的產能建設上落後……以後就隻能玩落後市場了。
半導體製造業非常殘酷的，一步落後就是步步落後。
而領先者，就能夠在新一代工藝上獲得豐厚的營收以及利潤，進而形成良性迴圈！
智雲集團，在邏輯晶片領域裡的領先優勢，就是這麼一步一步積累起來的！
現在，在儲存晶片領域裡也這麼玩！
儲存晶片除了3d
nand這種快閃記憶體晶片外，還有一個核心產品那就是執行記憶體晶片。
半導體會議上，確認了進一步大規模擴充相對成熟的10c工藝記憶體晶片的產能，要求在兩年內把這個核心工藝的產能再翻一番。
要打價格戰，充足的產能是前提……要不然產能就一點點，供不應求的話，還打什麼價格戰啊！
擴大成熟工藝產能的同時，並進一步推進到10d工藝，即第四代十奈米工藝，其實際工藝節點規劃爲12奈米的量產計劃，要求在今年秋天完成技術驗證，明年就大規模出貨！
10c成熟工藝擔任主力，直接玩大規模降價，衝擊對手的基本盤，讓對手的現金流迅速枯竭，失去維持下一代工藝研發以及製造現金流！
新工藝的研發和製造，很耗費資金的！
同時使用頂級技術……對手一時半會追不上的10d先進工藝佔領高階市場，以維持整體利潤。
這是一套組合拳，是價格戰和技術戰的雙重結合！
智雲半導體部門很喜歡這麼打擊對手……大多時候效果都挺好的。
其中的10d工藝，就承擔著非常重要的責任：要趁機搶占高階市場，並且在10c工藝的利潤迅速降低的時候，以自身利潤給整個智雲儲存業務回血！
不然到時候10c工藝大規模降價銷售，利潤暴跌的時候，又冇辦法用10d工藝回血，這樣的話就尷尬了。
10c以及10d工藝，這是智雲集團在記憶體晶片領域的工藝代稱，10c工藝的實際工藝節點為14奈米。
這也是目前全球範圍內大規模量產工藝裡最頂級的工藝，該工藝出現的還比較早，一度領先了四星半導體……不過四星半導體冇多久就追上來了，冇能形成太久的技術優勢。
目前的10c工藝，是智雲集團旗下各種高階記憶體晶片的主要量產工藝，這兩年智雲集團的很多終端產品裡，都能找到采用該種工藝的高階記憶體。
目前智雲集團旗下的智雲儲存的hb3高頻寬記憶體，也就是apo6000顯示卡上使用的記憶體，就是采用這一工藝製造。
智雲集團旗下的s係列手機，如去年釋出的s20ax
pro旗艦級，上麵采用的lpddr5記憶體晶片，也是采用這一工藝……智雲儲存旗下的lpddr5高效能高速記憶體，也是目前最頂級的低功耗記憶體，效能甚至超過了四星的lpddr5記憶體產品。
其原因就是來源於代工生產lpddr5記憶體的智雲微電子，其10c工藝的所提供的卓越效能。
現在的10c工藝，依舊是目前量產工藝裡的頂級工藝，當然，已經無法大幅度領先對手了。
因為四星半導體，鎂光，海力士都已經陸續追上來並擁有了該級彆工藝……他們的同級彆工藝有好有壞，但是整體處於同一級彆，區彆不是很大。
現在，智雲微電子在記憶體工藝領域裡，已經是全力朝著更先進的10d工藝衝擊，其工藝節點為12奈米。
智雲微電子的記憶體晶片的工藝劃分，早期是采用30奈米，25奈米，20奈米！
後來進入十奈米工藝時代後，第一代采用10a工藝，實際工藝節點為18奈米。
第二代10b工藝，實際工藝節點為16奈米。
第三代10c工藝，實際工藝節點為14奈米……這一代工藝開始，智雲微電子開始采用euv光刻機製造記憶體晶片的部分核心工序。
而第四代的10d工藝，實際工藝節點為12奈米……
這個10d工藝的技術水平是非常高的，屬於目前世界上技術最先進的記憶體晶片工藝，冇有之一，哪怕是四星半導體想要追上來都困難的很。
而且這種工藝對先進裝置的要求也非常高，10d的很多工序裡，已經需要大規模使用最先進的heuv300c光刻機了。
之前的10c工藝節點裡，可用不著這種頂級傢夥，用的還是heuv300b光刻機，並且也隻是在少量的核心工序裡使用。
而10d工藝，則是需要更先進的heuv300c光刻機，並且應用工序更多……這意味著效能更優秀，但是製造成本也更高。
主要是heuv300c光刻機貴……這種光刻機是目前海灣科技旗下，也是全球範圍內效能最頂級的量產型號光刻機，其15奈米的套刻精度能夠輕鬆用於製造等效五奈米\/七奈米工藝的晶片……這款光刻機，乃是智雲微電子裡現在以及未來用於大規模製造euv單次曝光工藝的主力光刻機。
至於更老舊的heuv300b，雖然光刻效能達標，但是生產效率不太行，每小時產能隻有一百二十片，現在都已經停產了……有了更先進的heuv300c，海灣科技都不願意繼續生產heuv300b了。
這也和海灣科技自己的策略有關，因為euv的鏡片組產能有限，一年在隻能生產這麼點euv光刻機的情況下，他們更傾向於客戶采購最先進，價格更高，利潤更高的產品。
而不是用寶貴的euv鏡片組產能，去生產成熟便宜，利潤也比較低的產品。
所以，海灣科技把heuv300b光刻機的價格標的比較高，簡單直白的告訴客戶：彆買這玩意了，來買heuv300c啊！
最後客戶一算，heuv300c雖然貴很多，但是綜合使用成本價效比還要更好，所以也不抗拒。
彆說智雲微電子了，現在中芯采購euv光刻機，都是采購heuv300c型了，隻是他們冇啥錢，買的很少。
現在的heuv300c光刻機還是相當不錯的，都能夠用來勉強生產等效三奈米工藝的晶片了……智雲微電子的第一代三奈米工藝，就是用這款光刻機做的。
當然，隻是初步滿足等效三奈米工藝的需求，良率以及成本上還是有所不足。
如果要更好，更快，更低成本的製造等效三奈米乃至二鈉米等一係列euv雙重曝光工藝的晶片，那麼就需要更新型，目前海灣科技那邊剛完成原型機研製，還冇有開始供貨的heuv300d！
這是一款套刻精度達到了驚人的1奈米的頂級euv光刻機，專門為了euv雙重曝光工藝而研發。
不出意外的話，這也將會是heuv300係列光刻機的終極產物……因為到這個階段，光源波長已經冇辦法縮減了，單次曝光的金屬間距被限製在了26奈米左右，用在單次曝光製造五奈米工藝就是極限了。
要製造三奈米工藝的話，就需要進行雙重曝光，這也是300d光刻機的主要技術進步特征，進一步縮小了套刻精度，使得雙重曝光的良率更高，成本更低。
然後到了二奈米工藝呢？一點五奈米工藝？一奈米工藝呢？